5月4日消息，英飛凌科技股份公司（后稱“英飛凌”）5月3日官網(wǎng)發(fā)布消息，公司與中國碳化硅材料供應(yīng)商北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司

（簡稱“天科合達(dá)”）簽訂了一份長期供貨協(xié)議，天科合達(dá)將為英飛凌供應(yīng)用于生產(chǎn)SiC半導(dǎo)體的6英寸碳化硅材料，其供應(yīng)量占到英飛凌未來長

期預(yù)測需求的兩位數(shù)份額。

公開信息顯示，英飛凌是國際知名的半導(dǎo)體公司。此前，英飛凌制訂了遠(yuǎn)景目標(biāo)，表示將在2030年達(dá)成30%全球SiC市場份額。

天科合達(dá)股東包括深創(chuàng)投、中科創(chuàng)星、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、哈勃科技投資基金、比亞迪、寧德時(shí)代、潤科基金等。公司成立于2006年，

成立之初的主要技術(shù)源自中科院物理研究所，主要產(chǎn)業(yè)化支持資金來源于新疆天富集團(tuán)。在導(dǎo)電襯底領(lǐng)域，天科合達(dá)在2021年國際市場占有率排

名第四。

據(jù)介紹，英飛凌位于馬來西亞居林的碳化硅工廠計(jì)劃于2024年投產(chǎn)，預(yù)計(jì)天科合達(dá)將會有效保證該廠的碳化硅晶圓供應(yīng)。

中科院物理研究所碳化硅團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)人、天科合達(dá)首席科學(xué)家陳小龍表示，碳化硅是引領(lǐng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要材料，具有禁帶寬度大、飽

和電子遷移率高、導(dǎo)熱性能等優(yōu)勢，特別適合于做大功率、耐高溫、耐高壓的半導(dǎo)體器件。未來碳化硅器件將會覆蓋更高電壓等級器件，可應(yīng)用

于軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。

陳小龍?zhí)岬剑蓟瑁⊿iC）晶體生長極其困難，上世紀(jì)90年代只有少數(shù)發(fā)達(dá)國家掌握SiC晶體生長和加工技術(shù)，我國起步較晚。為推動SiC晶體國

產(chǎn)化，避免我國寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)被“卡脖子”，團(tuán)隊(duì)從1999年開始，從基礎(chǔ)研究到應(yīng)用研究，自主研發(fā)突破了從生長設(shè)備到高質(zhì)量SiC晶體生長

和加工等關(guān)鍵技術(shù)，形成了具有自主知識產(chǎn)權(quán)的完整技術(shù)路線，進(jìn)而推動國內(nèi)第一家SiC晶體產(chǎn)業(yè)化公司北京天科合達(dá)成立。

對于這次簽約，陳小龍表示，國際碳化硅器件廠商與材料廠簽訂長約，一直是普遍的做法，英飛凌鎖定天科合達(dá)的部分產(chǎn)能，即有利于推動天科合

達(dá)技術(shù)進(jìn)步，也鞏固了英飛凌的供應(yīng)鏈系統(tǒng)，是一個(gè)雙贏的選擇?！澳壳拔锢硭邪l(fā)團(tuán)隊(duì)還關(guān)注碳化硅液相法晶體生長技術(shù)，希望基礎(chǔ)研究上跟進(jìn)

一步，為其產(chǎn)業(yè)化發(fā)展奠定基礎(chǔ)?！保ㄒ怀龋?/p>